型号: | SMBJ4764TR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 100 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
封装: | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 130K |
代理商: | SMBJ4764TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMAJP4KE150E3 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJP4KE15CAE3 | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJP4KE18ATR | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJP4KE24CE3 | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJP4KE30ATR | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ48 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 48Vr 600W 7.8A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ48/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 48V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ48/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 48V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ48/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 48V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ48/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 48V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |