型号: | SMBJ51CA |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 111K |
代理商: | SMBJ51CA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJ7.0C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMP1302-001 | SILICON, PIN DIODE |
SMV1024-199 | VHF-S BAND, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
SMV1233-003 | S BAND, 5.08 pF, 15 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
SMV20412-01 | VHF-UHF BAND, 54 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ51CA R4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 51V 600W 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ51CA R5 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 51V 600W 2-Pin SMB T/R |
SMBJ51CA/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 51V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ51CA/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 51V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ51CA/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 51V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |