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参数资料
| 型号： | SMBJ54 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | SMBJ54 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ78CA-7 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SD1100C32C | 1100 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD101B | 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| SY8.2 | 8.2 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| SST505T | 1 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, TO-236 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ54/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 54V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ54/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 54V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ54/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 54V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ54/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 54V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ54A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 54volts 5uA 6.9 Amps Uni-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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