型号: | SMBJ58C-E3 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件页数: | 4/5页 |
文件大小: | 111K |
代理商: | SMBJ58C-E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBJ75C-51-E3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMCJ12-57-E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ13C/51-E3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ17-51-E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ36CA/51-E3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
SMBJ58C-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 58V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ58C-E3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 58V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ58C-E3/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 58V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ58C-E3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 58V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ58CE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:600W, STAND-OFF VOLTAGE = 58V, ? 10%, BI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 600W 58V 10% BIDIR SMBJ |