型号: | SMBJ5956BE3TR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 200 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
封装: | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 131K |
代理商: | SMBJ5956BE3TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMCJLCE70AE3TR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMLG14E3 | 3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SMLG45CAE3 | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SMLG51AE3TR | 3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SMLG51E3TR | 3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ5956C/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2.0W, VZ = 200V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 2W 200V 2% SMBJ |
SMBJ5956CE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2.0W, VZ = 200V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 2W 200V 2% SMBJ |
SMBJ5V0A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5V 600W SMB Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ5V0A_Q | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5V 600W SMB Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ5V0CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5V 600W SMB Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |