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参数资料
| 型号： | SMBJ5956E3TR |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 200 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
| 封装： | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | SMBJ5956E3TR |
SILICON 2.0 Watt ZENER DIODES
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
SMBG5913 thru SMBG5956B, e3
SMBJ5913 thru SMBJ5956B, e3
SMBG
(J)591
3–59
56
B,
e3
GRAPHS
Typical
Maximu
m
Power
in
Watt
s
Microsemi
Scottsdale Division
Page 3
Copyright
2006
1-31--2006 REV G
Temperature (
oC)
Time in Milliseconds
Pd,
M
aximum
Power
D
issipation
(Watts)
TL
T
TL Lead temp (C), or TA on FR4 PC Board
FIGURE 2 – Transient Surge Capability
FIGURE 1 – Power Derating Curve
Square-Wave Pulse Width
(non-Repetitive) in Milliseconds
VZ – Zener Voltage – Volts
FIGURE 3 – Capacitance vs Zener Voltage
PACKAGE DIMENSIONS & PAD LAYOUT
SMBJ
SMBG
A
B
C
D
E
F
K
L
MIN
.077
.160
.130
.205
.077
.235
.015
.030
MAX
.083
.180
.155
.220
.104
.255
.030
.060
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
1.96
4.06
3.30
5.21
1.95
5.97
.381
.760
MAX
2.10
4.57
3.94
5.59
2.65
6.48
.762
1.520
INCHES
mm
A
0.320
8.13
B
0.085
2.16
C
0.110
2.79
INCHES
mm
A
.260
6.60
B
.085
2.16
C
.110
2.79
C
–
Capacitance
-Picofarads
SMBG
SMBJ
A on FR4
PC BOARD
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBG5919DTR | 5.6 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
| SMBG5928TR | 13 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
| SMBG5929TR | 15 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
| SMBG5930TR | 16 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
| SMBG5933DTR | 22 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ5V0A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5V 600W SMB Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ5V0A_Q | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5V 600W SMB Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ5V0CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5V 600W SMB Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ5V0CA_Q | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5V 600W SMB Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ6.0 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6Vr 600W 58.3A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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