| 型号: | SMBJ6.0A |
| 元件分类: | 参考电压二极管 |
| 英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
| 文件页数: | 5/5页 |
| 文件大小: | 139K |
| 代理商: | SMBJ6.0A |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ85CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ90 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMCG10/57 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| SMCG12/57 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| SMCG20/9A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ60A R4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 60V 600W 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ60A R5 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 60V 600W 2-Pin SMB T/R |
| SMBJ60A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ60A/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ60A/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |