型号: | SMBJ6.0AT1 |
厂商: | CRYDOM CORP |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 180K |
代理商: | SMBJ6.0AT1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBJ9.0CAT1 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ90AT3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ90CT3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ11C.TF | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ12A.TF | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
SMBj60A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 60V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ60C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 60Vr 600W 6.2A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ60C/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ60C/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ60C/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |