参数资料
型号: SMBJ6.0C
厂商: DIODES INC
元件分类: TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述: 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
文件页数: 4/4页
文件大小: 219K
代理商: SMBJ6.0C
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PDF描述
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参数描述
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SMBJ60C/52 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ60C/55 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ60C/5B 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ60CA 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 60volts 5uA 6.2 Amps Bi-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C