型号: | SMBJ6.5AT1 |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 41K |
代理商: | SMBJ6.5AT1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJ60CAT3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ9.0CAT3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
S3K | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
SR1030A | 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
SR250 | 2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ6CAA-TR | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
SMBJ6V0A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6V 600W SMB Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ6V0A_Q | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6V 600W SMB Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ6V0CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6V 600W SMB Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ6V5A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6.5V 600W SMB Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |