型号: | SMBJ60A-E3/2C |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 2/6页 |
文件大小: | 107K |
代理商: | SMBJ60A-E3/2C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMCJ12CA-E3/9CT | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMBZ5945B-E3/5B | 68 V, 0.55 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
SMDA03E3-TR | 300 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
SMDA12C-4-TR | 300 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
SMDA15-TR | 300 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ60AHE3/2C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ60AHE3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ60AHE3/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ60AHE3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ60A-M3/52 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:600W,60V 5%,UNIDIR,SMB TVS |