型号: | SMBJ60C |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 155K |
代理商: | SMBJ60C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJ75C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SMBJ90C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SMPT-22 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
S2L60-4061 | 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SA12 | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ60C/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ60C/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ60C/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ60C/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 60V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ60CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 60volts 5uA 6.2 Amps Bi-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |