参数资料
型号: SMBJ7.0CAT3
厂商: CRYDOM CORP
元件分类: TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述: 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
文件页数: 4/4页
文件大小: 180K
代理商: SMBJ7.0CAT3
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PDF描述
SMBJ9.0AT1 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ90T1 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SM12CXC190 760 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SM30CXC964 2700 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SM32CXC614 1160 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
SMBJ70CA-TP 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 70V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ70CA-TR 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 70V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ70C-E3/51 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 70V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ70C-E3/52 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 70V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ70C-E3/55 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 70V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C