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参数资料
型号： SMBJ7.5-W
厂商： RECTRON LTD
元件分类： TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述： 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封装： PLASTIC PACKAGE-2
文件页数： 5/5页
文件大小： 35K
代理商： SMBJ7.5-W
Mounting Pad Layout
RECTRON
0.083 MIN.
(2.10 MIN.)
0.050 MIN.
(1.27 MIN.)
0.220 REF
0.106 MAX.
(2.69 MAX.)
Dimensions in inches and (millimeters)
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PDF描述
SMBJ9.0 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ10A-W 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
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SMBJ90-W 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
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相关代理商/技术参数
参数描述
SMBJ78 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 78Vr 600W 4.8A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ78/2 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 78V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ78/52 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 78V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ78/55 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 78V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ78/5B 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 78V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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