型号: | SMBJ7.5A-7 |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 72K |
代理商: | SMBJ7.5A-7 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJ78C | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SX91 | 91 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
SMS12.TE | 350 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
SUF30J | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SMBJ85A-TR | 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ75A-7 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ75A-7P | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ75A-E3/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ75A-E3/2C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ75A-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |