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参数资料
型号： SMBJ70C
厂商： RECTRON LTD
元件分类： TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述： 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封装： PLASTIC PACKAGE-2
文件页数： 5/5页
文件大小： 35K
代理商： SMBJ70C
Mounting Pad Layout
RECTRON
0.083 MIN.
(2.10 MIN.)
0.050 MIN.
(1.27 MIN.)
0.220 REF
0.106 MAX.
(2.69 MAX.)
Dimensions in inches and (millimeters)
相关PDF资料
PDF描述
SMBJ90A 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ22-W 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ26A-W 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ30-W 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ70CA-W 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
相关代理商/技术参数
参数描述
SMBJ70C/2 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 70V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ70C/52 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 70V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ70C/55 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 70V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ70C/5B 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 70V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ70CA 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 70Vr 600W 5.3A 5% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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