型号: | SMBJ70CA-TR |
厂商: | STMICROELECTRONICS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 4000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件页数: | 4/10页 |
文件大小: | 127K |
代理商: | SMBJ70CA-TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJ15CA-TR | 4000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ18A-TR | 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ28A-TR | 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ170A-TR | 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ26CA-TR | 4000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ70C-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 70V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ70C-E3/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 70V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ70C-E3/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 70V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ70C-E3/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 70V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ70CE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:600W, STAND-OFF VOLTAGE = 70V, ? 10%, BI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 70VWM 125VC SMBJ |