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参数资料
型号： SMBJ75
元件分类： 参考电压二极管
英文描述： 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封装： GREEN, PLASTIC, SMB, 2 PIN
文件页数： 4/5页
文件大小： 165K
代理商： SMBJ75
Test
Current
Stand-Off
Voltage
Maximum
Reverse
Leakage
@ VWM
Maximum
Peak
Pulse
Current
Maximum
Clamping
Voltage
@ IPPM
IT
VWM
ID
IPPM
Vc
mA
V
uA
A
V
Min.
Max.
(Note 2)
SMBJ45
MU
50.0
61.1
1
45
5
7.8
80.3
SMBJ45A
MV
50.0
55.3
1
45
5
8.6
72.7
SMBJ48
MW
53.3
65.1
1
48
5
7.3
85.5
SMBJ48A
MX
53.3
58.9
1
48
5
8.1
77.4
SMBJ51
MY
56.7
69.3
1
51
5
6.9
91.1
SMBJ51A
MZ
56.7
62.7
1
51
5
7.6
82.4
SMBJ54
ND
60.0
73.3
1
54
5
6.5
96.3
SMBJ54A
NE
60.0
66.3
1
54
5
7.2
87.1
SMBJ58
NF
64.4
78.7
1
58
5
6.1
103
SMBJ58A
NG
64.4
71.2
1
58
5
6.7
93.6
SMBJ60
NH
66.7
81.5
1
60
5
5.8
107
SMBJ60A
NK
66.7
73.7
1
60
5
6.5
96.8
SMBJ64
NL
71.1
86.9
1
64
5
5.5
114
SMBJ64A
NM
71.1
78.6
1
64
5
6.1
103
SMBJ70
NN
77.8
95.1
1
70
5
5.0
125
SMBJ70A
NP
77.8
86
1
70
5
5.5
113
SMBJ75
NQ
83.3
102
1
75
5
4.7
134
SMBJ75A
NR
83.3
92.1
1
75
5
5.2
121
SMBJ78
NS
86.7
106
1
78
5
4.5
139
SMBJ78A
NT
86.7
95.8
1
78
5
5.0
126
SMBJ85
NU
94.4
115
1
85
5
4.1
151
SMBJ85A
NV
94.4
104
1
85
5
4.6
137
SMBJ90
NW
100
122
1
90
5
3.9
160
SMBJ90A
NX
100
111
1
90
5
4.3
146
SMBJ100
NY
111
136
1
100
5
3.5
179
SMBJ100A
NZ
111
123
1
100
5
3.8
162
SMBJ110
PD
122
149
1
110
5
3.2
196
SMBJ110A
PE
122
135
1
110
5
3.5
177
SMBJ120
PF
133
163
1
120
5
2.9
214
SMBJ120A
PG
133
147
1
120
5
3.2
193
SMBJ130
PH
144
176
1
130
5
2.7
231
SMBJ130A
PK
144
159
1
130
5
3.0
209
SMBJ150
PL
167
204
1
150
5
2.3
266
SMBJ150A
PM
167
185
1
150
5
2.5
243
SMBJ160
PN
178
218
1
160
5
2.2
287
SMBJ160A
PP
178
197
1
160
5
2.4
259
SMBJ170
PQ
189
231
1
170
5
2.0
304
SMBJ170A
PR
189
209
1
170
5
2.2
275
Notes:
1. VBR measure after IT applied for 300us, IT=square wave pulse or equivalent.
2. Surge current waveform per Figure. 3 and derate per Figure. 2
3. All terms and symbols are consistent with ANSI/IEEE C62.35.
4. For bidirectional use C or CA suffix for types SMBJ5.0 through SMBJ170
5. For bipolar types having VWM of 10 volts(SMBJ8.0C) and under, the ID limit is doubled.
Version : F11
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Device
Marking
Code
Breakdown
Voltage
(Note 1)
VBR
V
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PDF描述
SMBJ78CA 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ90A 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ90 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SK34B 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
SK39B 3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
相关代理商/技术参数
参数描述
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SMBJ75/5 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ75/52 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ75/55 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ75/5B 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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