型号: | SMBJ75C/2 |
厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 76K |
代理商: | SMBJ75C/2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJ78A/2 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMCJ10C/7 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ150C/7 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ26C/7 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ90CA/7 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ75CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75Vr 600W 5A 5% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ75CA R4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600W 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ75CA/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ75CA/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ75CA/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |