型号: | SMBJ75T1 |
厂商: | CRYDOM CORP |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 180K |
代理商: | SMBJ75T1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMST4004-SOT23-2 | SILICON, MIXER DIODE |
SMST4012-SOT23-2 | SILICON, MIXER DIODE |
SMPN7320-SOT23-1S | 100 V, SILICON, PIN DIODE |
SMPN7453-SOT23-4CC | 200 V, SILICON, PIN DIODE |
SB1506 | 15 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ78 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 78Vr 600W 4.8A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ78/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 78V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ78/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 78V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ78/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 78V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ78/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 78V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |