| 型号: | SMBJ78C |
| 厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装: | PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数: | 5/5页 |
| 文件大小: | 111K |
| 代理商: | SMBJ78C |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ8.5A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ10C-51 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ11C-5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ12-52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ120A-52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ78C/5 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 78V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ78C/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 78V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ78C/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 78V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ78C/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 78V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ78CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 78volts 5uA 4.7 Amps Bi-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |