参数资料
| 型号： | SMBJ7V5A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS UNIDIRECT 600W 7.5V SMB |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | SMBJ |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 7.5V |
| 电压 - 击穿： | 8.33V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | DO-214AA（SMB） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | SMBJ7V5A-ND SMBJ7V5ATR |
Typical Performance Characteristics
100
T A = 25 o C
100
75
10
50
1
25
0.1
0.0001
0.001
0.01 0.1
PULSE WIDTH (ms)
1
10
0
0
25
50 75 100 125 150 175
AMBIENT TEMPERATURE ( o C)
200
Figure 1. Peak Pulse Power Rating Curve
Figure 2. Pulse Derating Curve
150
100
tf = 10 μ sec
Peak Value
Ippm
T A = 25 o C
Pulse Width (td) is Defined
as the Point Where the Peak
Current Decays to 50% of Ipp
6000
4000
2000
1000
T A = 25 o C
f = 1.0 MHz
Visg = 50m Vp-p
Measured at
Zero Bias
500
Half Value-Ipp
2
200
Measured at
Stand-Off
50
10/1000 μ sec Waveform
as Defined by R.E.A.
100
Voltage (V mw)
50
e-kt
td
20
0
0
1
2
3
4
10
1
5 10 50
100
200
TIME (ms)
Figure 3. Pulse Waveform
REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 4. Junction Capacitance
200
T A = T A max
8.3ms Single Half Sine-Wave
JEDEC Method
100
50
20
10
1
2
5 10 20 50
100
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
Figure 5. Non-Repetitive Surge Current
? 2002 Fairchild Semiconductor Corporation
SMBJ5V0(C)A - SMBJ170(C)A Rev. 1.1.0
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP625T-E/UN | IC OPAMP DUAL 2.5V R-R 10-MSOP |
| PF0805FRM070R01L | RES 0.01 OHM 1/8W 1% 0805 SMD |
| 86094648196755000A | DIN STR RECEPT PRESSFIT |
| ISL28117FBZ-T13 | IC OPAMP GP 1.5MHZ LP 8SOIC |
| 6-160432-3 | CONN RCPT STR 20-15.5AWG .250 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ7V5CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 7.5V 600W Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ8.0 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8Vr 600W 44.2A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ8.0/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 8.0V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ8.0/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 8.0V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ8.0/2C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 8.0V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。