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参数资料
型号： SMBJ8.0A-13
厂商： DIODES INC
元件分类： TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述： 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封装： PLASTIC PACKAGE-2
文件页数： 2/4页
文件大小： 452K
代理商： SMBJ8.0A-13
DS19002 Rev. 13 - 2
2 of 4
SMBJ5.0(C)A - SMBJ170(C)A
www.diodes.com
Part Number
Add C For
Bi-Directional
(Note 5)
Reverse
Standoff
Voltage
Breakdown
Voltage
VBR @ IT (Note 6)
Test
Current
Max. Reverse
Leakage @
VRWM (Note 7)
Max. Clamping
Voltage @ Ipp
Max. Peak Pulse
Current
Ipp
Marking Code
VRWM (V)
Min (V)
Max (V)
IT(mA)
IR (mA)
VC (V)
(A)
BI-
UNI-
SMBJ5.0(C)A
5.0
6.40
7.23
10
800
9.2
65.2
AE
KE
SMBJ6.0(C)A
6.0
6.67
7.67
10
800
10.3
58.3
AG
KG
SMBJ6.5(C)A
6.5
7.22
8.30
10
500
11.2
53.6
AK
KK
SMBJ7.0(C)A
7.0
7.78
8.95
10
200
12.0
50.0
AM
KM
SMBJ7.5(C)A
7.5
8.33
9.58
1.0
100
12.9
46.5
AP
KP
SMBJ8.0(C)A
8.0
8.89
10.23
1.0
50
13.6
44.1
AR
KR
SMBJ8.5(C)A
8.5
9.44
10.82
1.0
10
14.4
41.7
AT
KT
SMBJ9.0(C)A
9.0
10.00
11.50
1.0
5.0
15.4
39.0
AV
KV
SMBJ10(C)A
10.0
11.10
12.80
1.0
5.0
17.0
35.3
AX
KX
SMBJ11(C)A
11.0
12.20
14.40
1.0
5.0
18.2
33.0
AZ
KZ
SMBJ12(C)A
12.0
13.30
15.30
1.0
5.0
19.9
30.2
BE
LE
SMBJ13(C)A
13.0
14.40
16.50
1.0
5.0
21.5
27.9
BG
LG
SMBJ14(C)A
14.0
15.60
17.90
1.0
5.0
23.2
25.8
BK
LK
SMBJ15(C)A
15.0
16.70
19.20
1.0
5.0
24.4
24.0
BM
LM
SMBJ16(C)A
16.0
17.80
20.50
1.0
5.0
26.0
23.1
BP
LP
SMBJ17(C)A
17.0
18.90
21.70
1.0
5.0
27.6
21.7
BR
LR
SMBJ18(C)A
18.0
20.00
23.30
1.0
5.0
29.2
20.5
BT
LT
SMBJ20(C)A
20.0
22.20
25.50
1.0
5.0
32.4
18.5
BV
LV
SMBJ22(C)A
22.0
24.40
28.00
1.0
5.0
35.5
16.9
BX
LX
SMBJ24(C)A
24.0
26.70
30.70
1.0
5.0
38.9
15.4
BZ
LZ
SMBJ26(C)A
26.0
28.90
33.20
1.0
5.0
42.1
14.2
CE
ME
SMBJ28(C)A
28.0
31.10
35.80
1.0
5.0
45.4
13.2
CG
MG
SMBJ30(C)A
30.0
33.30
38.30
1.0
5.0
48.4
12.4
CK
MK
SMBJ33(C)A
33.0
36.70
42.20
1.0
5.0
53.3
11.3
CM
MM
SMBJ36(C)A
36.0
40.00
46.00
1.0
5.0
58.1
10.3
CP
MP
SMBJ40(C)A
40.0
44.40
51.10
1.0
5.0
64.5
9.3
CR
MR
SMBJ43(C)A
43.0
47.80
54.90
1.0
5.0
69.4
8.6
CT
MT
SMBJ45(C)A
45.0
50.00
57.50
1.0
5.0
72.7
8.3
CV
MV
SMBJ48(C)A
48.0
53.30
61.30
1.0
5.0
77.4
7.7
CX
MX
SMBJ51(C)A
51.0
56.70
65.20
1.0
5.0
82.4
7.3
CZ
MZ
SMBJ54(C)A
54.0
60.00
69.00
1.0
5.0
87.1
6.9
DE
NE
SMBJ58(C)A
58.0
64.40
74.60
1.0
5.0
93.6
6.4
DG
NG
SMBJ60(C)A
60.0
66.70
76.70
1.0
5.0
96.8
6.2
DK
NK
SMBJ64(C)A
64.0
71.10
81.80
1.0
5.0
103.0
5.8
DM
NM
SMBJ70(C)A
70.0
77.80
89.50
1.0
5.0
113.0
5.3
DP
NP
SMBJ75(C)A
75.0
83.30
95.80
1.0
5.0
121.0
4.9
DR
NR
SMBJ78(C)A
78.0
86.70
99.70
1.0
5.0
126.0
4.7
DT
NT
SMBJ85(C)A
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94.40
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1.0
5.0
137.0
4.4
DV
NV
SMBJ90(C)A
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1.0
5.0
146.0
4.1
DX
NX
SMBJ100(C)A
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111.0
128.00
1.0
5.0
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3.7
DZ
NZ
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110.0
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177.0
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EE
PE
SMBJ120(C)A
120.0
133.0
153.00
1.0
5.0
193.0
3.1
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PG
SMBJ130(C)A
130.0
144.0
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1.0
5.0
209.0
2.9
EK
PK
SMBJ150(C)A
150.0
167.0
192.50
1.0
5.0
243.0
2.5
EM
PM
SMBJ160(C)A
160.0
178.0
205.00
1.0
5.0
259.0
2.3
EP
PP
SMBJ170(C)A
170.0
189.0
217.50
1.0
5.0
275.0
2.2
ER
PR
Notes:
5. Suffix C denotes Bi-directional device.
6. VBR measured with IT current pulse = 300ms
7. For Bi-Directional devices having VRWM of 10V and under, the IR is doubled.
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PDF描述
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参数描述
SMBJ85 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 85Vr 600W 4.4A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ85/1 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ85/2 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ85/52 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJ85/55 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
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