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参数资料
| 型号： | SMBJ8.0CT3 |
| 厂商： | CRYDOM CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | SMBJ8.0CT3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ85CAT1 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ85T1 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ9.0CT3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMST6012-SOT23-1 | SILICON, MIXER DIODE |
| SMTV3001 | S BAND, 1 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ85 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 85Vr 600W 4.4A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ85/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ85/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ85/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ85/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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