型号: | SMBJ85A-TR |
厂商: | STMICROELECTRONICS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 4000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
文件页数: | 8/10页 |
文件大小: | 127K |
代理商: | SMBJ85A-TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SP6311 | 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
SP6312US | 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
SMBJ60C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ100CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ14CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJ85C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 85Vr 600W 4.4A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ85C/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ85C/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ85C/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJ85C/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 85V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |