| 型号: | SMBJ90 |
| 元件分类: | 参考电压二极管 |
| 英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装: | GREEN, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数: | 5/5页 |
| 文件大小: | 165K |
| 代理商: | SMBJ90 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SK34B | 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| SK39B | 3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| SRAS20150 | 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SRAS8150 | 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SRF10100 | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ90/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 90V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ90/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 90V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ90/5 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 90V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ90/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 90V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ90/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 90V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |