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参数资料
| 型号： | SMBJ90A |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | GREEN, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 165K |
| 代理商： | SMBJ90A |
Version:F11
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES (SMBJ SERIES)
FIG.2 PULSE DERATING CURVE
0
25
50
75
100
125
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TA, AMBIENT TEMPERATURE (
oC)
PEAK
PU
L
SE
PO
WER
(P
PP
)O
R
CURRE
NT
(
I PP
)
A
DE
RA
TING
IN
P
E
RCE
NTA
G
E
(
%
)
FIG. 4 MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD SURGE
CURRENT
10
100
1
10
100
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
IF
SM
,PEAK
F
O
RWARD
SURG
E
A
CURRENT
(
A
)
8.3mS Single Half Sine Wave
JEDEC Method
UNIDIRECTIONAL ONLY
FIG. 3 CLAMPING POWER PULSE WAVEFORM
0
20
40
60
80
100
120
140
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
t, TIME ms
PEAK
PUL
SE
CURRENT
(%
)
td
Peak Value
IPPM
tr=10use
Half Value-
10/1000sec, WAVEFORM
as DEFINED by R.E.A.
PULSE WIDTH(td) is DEFINED
as the POINT WHERE the PEAK
CURRENT DECAYS to 50% OF IPPM
FIG. 5 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
10
100
1000
10000
100000
1
10
100
V(BR), BREAKDOWN VOLTAGE (V)
CJ
,J
UNCTION
CAPACITANCE
(p
F)
A
TA=25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
VR=0
VR-RATED
STAND-OFF
VOLTAGE
FIG. 1 PEAK PULSE POWER RATING CURVE
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
10000
tp, PULSE WIDTH, (uS)
P
PPM
,PEAK
PUL
SE
PO
WER,
KW
NON-REPETITIVE
PULSE WAVEFORM
SHOWN in FIG.3
TA = 25℃
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ90 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SK34B | 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| SK39B | 3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| SRAS20150 | 20 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SRAS8150 | 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJ90A R4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 90V 600W 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ90A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TVS DIODE 600W 90V DO-214AA |
| SMBJ90A/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 90V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ90A/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 90V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJ90A/2B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 90V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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