型号: | SMBJP6KE10CAE3TR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 215K |
代理商: | SMBJP6KE10CAE3TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJP6KE120CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJP6KE13AE3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJP6KE160 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJP6KE24CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJP6KE47CE3TR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJP6KE10CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 14.5V 600W 42.1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE11A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 15.6V 600W 39.1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE11CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 15.6V 600W 39.1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE120CA-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 102V 600W 2-Pin SMB T/R |
SMBJP6KE12A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 16.7V 600W 36.5A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |