参数资料
型号: SMBJP6KE16CE3TR
厂商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分类: TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述: 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
文件页数: 4/4页
文件大小: 215K
代理商: SMBJP6KE16CE3TR
600 Watt TRANSIENT VOLTAGE
SUPPRESSOR
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
SMBJP6KE6.8 thru SMBJP6KE200CA, e3 and
SMBGP6KE6.8 thru SMBGP6KE200CA, e3
SMBJ(G)P6
K
E6.8-200
Ae
3
C
Ca
pa
cita
nce
-
Pi
cofarads
Peak
Pulse
Power
(
P
PP
)or
conti
nuous
Power
in
P
ercent
of
25
o C
Rating
TL Lead Temperature
oC
V(BR) - Breakdown Voltage – Volts
FIGURE 3 - Derating Curve
FIGURE 4 – SMBJ(G)P6KE series Typical Capacitance vs.
Breakdown Voltage
PACKAGE DIMENSIONS
SMBJ
SMBG
A
B
C
D
E
F
K
L
MIN
.077
.160
.130
.205
.077
.235
.015
.030
MAX
.083
.180
.155
.220
.104
.255
.030
.060
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
1.96
4.06
3.30
5.21
1.95
5.97
.381
.760
MAX
2.10
4.57
3.94
5.59
2.65
6.48
.762
1.520
INCHES
mm
A
.260
6.60
B
.085
2.16
C
.110
2.79
INCHES
mm
A
0.320
8.13
B
0.085
2.16
C
0.110
2.79
SMBJ
SMBG
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2007
6-21-2007 Rev C
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
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PDF描述
SMBJP6KE18C 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJP6KE6.8AE3TR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJP6KE75AE3TR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJP6KE75TR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJP6KE8.2CATR 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
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参数描述
SMBJP6KE18A-TP 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 25.5V 600W 24.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJP6KE18CA 功能描述:DIODE TVS SNGL 600W DO-214AA SMD RoHS:是 类别:过电压,电流,温度装置 >> TVS - 二极管 系列:SMBJ 标准包装:2,000 系列:TransZorb® 电压 - 反向隔离(标准值):8V 电压 - 击穿:8.89V 功率(瓦特):500W 电极标记:单向 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 供应商设备封装:DO-204AC(DO-15) 包装:带盒(TB)
SMBJP6KE18CA-TP 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 25.5V 600W 24.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJP6KE200A-TP 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 274V 600W 2.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJP6KE200CA-TP 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 274V 600W 2.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C