型号: | SMBJP6KE16CE3TR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 215K |
代理商: | SMBJP6KE16CE3TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJP6KE18C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJP6KE6.8AE3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
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SMBJP6KE75TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJP6KE8.2CATR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJP6KE18A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 25.5V 600W 24.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE18CA | 功能描述:DIODE TVS SNGL 600W DO-214AA SMD RoHS:是 类别:过电压,电流,温度装置 >> TVS - 二极管 系列:SMBJ 标准包装:2,000 系列:TransZorb® 电压 - 反向隔离(标准值):8V 电压 - 击穿:8.89V 功率(瓦特):500W 电极标记:单向 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 供应商设备封装:DO-204AC(DO-15) 包装:带盒(TB) |
SMBJP6KE18CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 25.5V 600W 24.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE200A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 274V 600W 2.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE200CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 274V 600W 2.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |