型号: | SMBJP6KE20 |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 215K |
代理商: | SMBJP6KE20 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBJP6KE22CE3TR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJP6KE33ATR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJP6KE36ATR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJP6KE39A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBGP6KE130CE3TR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJP6KE200A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 274V 600W 2.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE200CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 274V 600W 2.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE20A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 27.7V 600W 22A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE20CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 27.7V 600W 22A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE220A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 328V 600W 1.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |