参数资料
型号: SMBJP6KE20CATR
厂商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分类: TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述: 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封装: PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
文件页数: 4/4页
文件大小: 215K
代理商: SMBJP6KE20CATR
600 Watt TRANSIENT VOLTAGE
SUPPRESSOR
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
SMBJP6KE6.8 thru SMBJP6KE200CA, e3 and
SMBGP6KE6.8 thru SMBGP6KE200CA, e3
SMBJ(G)P6
K
E6.8-200
Ae
3
C
Ca
pa
cita
nce
-
Pi
cofarads
Peak
Pulse
Power
(
P
PP
)or
conti
nuous
Power
in
P
ercent
of
25
o C
Rating
TL Lead Temperature
oC
V(BR) - Breakdown Voltage – Volts
FIGURE 3 - Derating Curve
FIGURE 4 – SMBJ(G)P6KE series Typical Capacitance vs.
Breakdown Voltage
PACKAGE DIMENSIONS
SMBJ
SMBG
A
B
C
D
E
F
K
L
MIN
.077
.160
.130
.205
.077
.235
.015
.030
MAX
.083
.180
.155
.220
.104
.255
.030
.060
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
1.96
4.06
3.30
5.21
1.95
5.97
.381
.760
MAX
2.10
4.57
3.94
5.59
2.65
6.48
.762
1.520
INCHES
mm
A
.260
6.60
B
.085
2.16
C
.110
2.79
INCHES
mm
A
0.320
8.13
B
0.085
2.16
C
0.110
2.79
SMBJ
SMBG
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2007
6-21-2007 Rev C
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料
PDF描述
SMBJP6KE20CTR 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJP6KE30ATR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJP6KE33CA 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJP6KE36E3TR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJP6KE39 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
相关代理商/技术参数
参数描述
SMBJP6KE220A-TP 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 328V 600W 1.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJP6KE220CA-TP 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 328V 600W 1.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJP6KE22A-TP 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 30.6V 600W 19.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJP6KE22CA-TP 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 30.6V 600W 19.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMBJP6KE24A-TP 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 33.2V 600W 18.4A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C