| 型号: | SMBJP6KE33CA |
| 厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装: | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
| 文件页数: | 2/4页 |
| 文件大小: | 215K |
| 代理商: | SMBJP6KE33CA |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJP6KE36E3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJP6KE39 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJP6KE56E3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJP6KE9.1E3TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ8.0C-TP | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJP6KE33CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 45.7V 600W 13.3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJP6KE350A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 482V 600W 1.3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJP6KE350CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 482V 600W 1.3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJP6KE36A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 49.9V 600W 12.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJP6KE36CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 49.9V 600W 12.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |