型号: | SMBJP6KE350AP |
厂商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 1492K |
代理商: | SMBJP6KE350AP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBJP6KE18CAP | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJP6KE11A-TP | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJP6KE130CA-TP | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJP6KE110CA-TP | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJP6KE220CA-TP | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
SMBJP6KE350A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 482V 600W 1.3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE350CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 482V 600W 1.3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE36A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 49.9V 600W 12.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE36CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 49.9V 600W 12.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE39A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 53.9V 600W 11.3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |