型号: | SMBJP6KE36AP |
厂商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 1492K |
代理商: | SMBJP6KE36AP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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S2B-LTP | 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
SMBJ5943BP | 56 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
SK28GP | 2 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
SMAJ51P | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJ7.0CAP | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJP6KE36A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 49.9V 600W 12.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE36CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 49.9V 600W 12.2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE39A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 53.9V 600W 11.3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE39CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 53.9V 600W 11.3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE400A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 548V 600W 1.1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |