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参数资料
| 型号： | SMBJP6KE510A-TP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | SMBJP6KE510A-TP |
SMBJP6KE6.8(C)A THRU SMBJP6KE550(C)A
MC C
TM
Micro Commercial Components
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES
www.mccsemi.com
4 of 5
Revision:
A
20
11/01/01
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJP6KE56CA-TP | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJP6KE62CA-TP | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJP6KE16CA-TP | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJP6KE220A-TP | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJP6KE39CA-TP | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBJP6KE510CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 698V 600W 0.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJP6KE51A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 70.1V 600W 8.7A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJP6KE51CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 70.1V 600W 8.7A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJP6KE550CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 760V 600W 0.8A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBJP6KE56A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 77V 600W 7.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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