型号: | SMBJP6KE530CAP |
厂商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 1492K |
代理商: | SMBJP6KE530CAP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMAJ36CP | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMAJP4KE400AP | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SS14-LTP | 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
SMAJ20CAP | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
SMCAJP4KE160CAP | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBJP6KE550CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 760V 600W 0.8A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE56A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 77V 600W 7.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE56CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 77V 600W 7.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE6.8A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 10.5V 600W 58.1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE6.8CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 10.5V 600W 58.1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |