型号: | SMBJP6KE82CTR |
厂商: | MICROSEMI CORP |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 560K |
代理商: | SMBJP6KE82CTR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBGP6KE130 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBGP6KE180A | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBGP6KE24CATR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBGP6KE33ATR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBGP6KE36ATR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
SMBJP6KE9.1A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 13.4V 600W 45.5A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE9.1CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 13.4V 600W 45.5A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE91A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 125V 600W 4.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJP6KE91CA-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 125V 600W 4.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBJSAC10/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Tape and Reel |