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参数资料
| 型号： | SMBSR110 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | SMBSR110 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBSR106 | 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA |
| SMB5819 | 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA |
| SMBYT03-400 | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SMC1820-201 | 200 V, SILICON, PIN DIODE |
| SMCJ1.5KE10CA-TP | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMB-STR-PWB-JACK-RECEPT | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述: |
| SMBT 2222A | 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Bulk |
| SMBT 2222A E6327 | 功能描述:两极晶体管 - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| SMBT 2907A E6327 | 功能描述:两极晶体管 - BJT AF GP BJT PNP 60V 0.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| SMBT 3904 B5000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Silicon Switch TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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