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参数资料
| 型号： | SMBYT03-400 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | SMC, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | SMBYT03-400 |
0.001
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
IM
t
=0.5
t(s)
IM(A)
Tc=25 C
o
Tc=55 C
o
Tc=40 C
o
Fig.3 : Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration.
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
Zth(j-c) (tp.
)
K=
Rth(j-c)
=0. 5
=0 . 2
=0. 1
Single pulse
tp(s)
T
=tp/T
tp
K
Fig.4 : Relative variation of thermal impedance
junction to lead versus pulse duration.
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
10
20
30
40
50
60
P=0.5W
T
I
M
=tp/T
tp
IM(A)
P=1.5W
P=2.5W
Fig.2 : Peak current versus form factor.
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
=0.05
=0.1
=0.2
=0.5
T
=tp/T
tp
IF(av)(A)
PF(av)(W)
=1
Fig.1 : Low frequency power losses versus
average current.
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
T
=tp/T
tp
=0.5
F(av)(A)
I
o
Tamb( C)
1cm Cu
2
Rth(j-a)=65
C/W
o
Rth(j-a)=Rth(j-l)
Fig.6 : Average current versus ambient
temperature. (duty cycle : 0.5)
0.01
0.1
1
10
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3.0
I FM(A)
VFM(V)
Tl=100
C
o
50
Fig.5 : Voltage drop versus forward current.
(Maximum values)
SMBYT03
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PDF描述 |
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