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参数资料
| 型号： | SMCG11 |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | SMCG11 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMCG120A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMCJ14 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMCG170 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SA51CA | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMCJ48 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMCG110 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| SMCG110/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 110V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCG110/59T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 110V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCG110/9AT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 110V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCG110A | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
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