型号: | SMCG85/57 |
厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 75K |
代理商: | SMCG85/57 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
SMCG90/9A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SW06-12PCN075 | 174 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SSR4045DZDB | 40 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SVO5YSV | SILICON, STABISTOR DIODE |
S07J | 0.7 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-219AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
SMCG85A | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT 1500 Watt Transient Voltage Suppressor |
SMCG85A/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 85V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCG85A/59T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 85V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCG85A/9AT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 85V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCG85A-E3/1T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 85V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |