型号: | SMCJ10CE3TR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 198K |
代理商: | SMCJ10CE3TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMCJ11CAE3TR | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ13CE3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ14CE3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SML4753-61 | 36 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
SML4756A-5A | 47 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMCJ10CHE3/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 10V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ10CHE3/59T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 10V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ10CHE3/9AT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 10V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ10-E3/1T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 10V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ10-E3/51T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 10V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |