参数资料
型号: SMCJ12CE3/TR13
厂商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分类: TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述: 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
文件页数: 5/6页
文件大小: 475K
代理商: SMCJ12CE3/TR13
1500W Transient Voltage Suppressor (TVS) protection device
www.Microsemi.com
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Copyright
2009
Aug Rev A
SMCJ5.0e3 to SMCJ440CAe3
相关PDF资料
PDF描述
SMCJ30CAE3/TR13 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
SK12ET/R13 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA
SS12ET/R7 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
SS1030FLT/R7 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SRAF560 5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
相关代理商/技术参数
参数描述
SMCJ12CHE3/57T 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 12V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMCJ12CHE3/59T 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 12V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMCJ12CHE3/9AT 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 12V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMCJ12CHE3/9CT 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 12V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMCJ12C-TP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 12V 1.5KW 2-Pin SMC T/R