型号: | SMCJ13CAE3/TR13 |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 475K |
代理商: | SMCJ13CAE3/TR13 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMCJ43AE3/TR13 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SPA254-T | 2.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 |
SK24E | 2 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
SK15E | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA |
SD1020CST/R13 | 10 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMCJ13CAHE3/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 13V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ13CAHE3/59T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 13V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ13CAHE3/9AT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 13V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ13CAHE3/9CT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 13V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ13CA-M3/57T | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:1.5KW,13V 5%,BIDIR,SMC TVS |