- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录40341 > SMCJ26C (DIODES INC) 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SMCJ26C |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 224K |
| 代理商： | SMCJ26C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMCJ10 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMCJ40C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMCJ110C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMCJ13C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMCJ85A-TR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMCJ26C/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 26V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ26C/59T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 26V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ26C/9AT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 26V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ26CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W TVS Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ26CA R6 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 26V 1.5KW 2-Pin SMC T/R |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。