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参数资料
| 型号： | SMCJ30C.TB |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 345K |
| 代理商： | SMCJ30C.TB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMCJ40.TB | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMCJ75C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMCJ14A.TF | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMCJ28.TF | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMCJ48.TF | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMCJ30-E3/1T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 30V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ30-E3/51T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 30V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ30-E3/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 30V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ30-E3/59T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 30V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ30-E3/9AT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 30V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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