| 型号: | SMCJ6.0A/57T |
| 厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| 封装: | PLASTIC, SMC, 2 PIN |
| 文件页数: | 1/4页 |
| 文件大小: | 42K |
| 代理商: | SMCJ6.0A/57T |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMLG130CTR | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| SMLG150CATR | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| SMLG8.5ATR | 3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| SMLJ18ATR | 3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SHDC626150N | 20 A, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-257AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMCJ60A-7 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 60V 1500 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ60A-7P | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 60V 1500 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ60A-E3/1T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 60V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ60A-E3/51T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 60V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ60A-E3/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 60V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |