型号: | SMCJ60-M3/9AT |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
封装: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 93K |
代理商: | SMCJ60-M3/9AT |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMCJ7.0-M3/9AT | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ8.5-M3/57T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ8.5CA-M3/57T | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ85-M3/57T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SAC7.0 | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMCJ64 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 64Vr 1500W 14.6A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ64/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 64V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ64/59T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 64V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ64/9AT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 64V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ64A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 64volts 5uA 14.6 Amps Uni-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |