| 型号: | SMCJ60CTR |
| 厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述: | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| 封装: | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数: | 4/4页 |
| 文件大小: | 198K |
| 代理商: | SMCJ60CTR |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMCG100AE3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| SMCG45E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| SMCJ36E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMCJ16CAE3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMCG170CE3TR | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMCJ60-E3/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 60V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ60-E3/9AT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 60V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ60E3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1500W, STAND-OFF VOLTAGE = 60V, ? 10%, UNI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 60VWM 107VC SMCJ |
| SMCJ60HE3/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 60V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMCJ60HE3/9AT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 60V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |