型号: | SMCJ7.5A-W |
厂商: | RECTRON LTD |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 35K |
代理商: | SMCJ7.5A-W |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMCJ85-W | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ170A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ6.0 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ75A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCJ10A-W | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMCJ75C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75Vr 1500W 12.4A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ75C/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 75V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ75C/59T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 75V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ75C/9AT | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 75V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ75CA | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75volts 5uA 12.4 Amps Bi-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |